据“武进高新区”报道，12月24日下午，区委常委，武进高新区党工委书记、管委会主任冯旭江会见无锡芯感智科技股份有限公司董事长、总经理刘同庆一行，并共同见证芯感智MEMS传感器芯片产业化项目签约落户武高新。高新区分管领导参加活动。

无锡芯感智科技股份有限公司成立于2010年，是国内领先的传感器芯片设计、封测制造和应用方案供应商，目前国产MEMS压力传感器芯片国内出货量第一。公司是高新技术企业、国家级专精特新“小巨人”企业、省级科技型中小企业，高层次人才占比超80%，并与东南大学合作设立产教融合示范基地。公司在压力、红外、流量、气体、电流、转速、温度等传感器领域拥有独立知识产权和丰富的技术储备，已累计申请专利400余项，其中发明专利70余项。

此次，无锡芯感智科技股份有限公司计划在武高新租赁厂房1万平方米，建设MEMS压力传感器芯片产业化基地。项目总投资1亿元，其中固定资产投入5000万元，达产后预计年产消费类、医疗类、车规类传感器1亿余只，年销售2.5亿元。

冯旭江表示

传感器作为物联网、人工智能、机器人的“感知神经”，其战略价值日益凸显。特别是AI算力的爆发式增长，催生出更广阔的应用前景与产业价值。这是时代赋予的产业风口，也是一个稍纵即逝的战略窗口期。芯感智要抓住机遇、乘势而上，抢占制高点。当前，武高新正聚力打造“一人一芯一算”产业名片，截至目前，芯片产业累计引进落户了纵慧芯光、首传微电子、启泓科技等超50个产业链项目。其中，传感器领域已集聚四家行业领先的六维力传感器企业，形成了良好的产业生态和创新氛围。高新区各级各部门将不遗余力为企业做好项目保障工作，与企业互相成就、携手成长。

刘同庆表示

武高新优质的营商环境与高效务实的服务，是促成项目落地的重要基础。此次在武高新投资建设研发生产基地，是“以真心换真心”。公司将把这里作为发展主阵地，将核心产品产能与资源向园区倾斜，全力推动项目早投产、早达效，努力为武高新产业发展注入新动能，在这片创新创业的热土上实现共赢发展。

QFR20HC600TD4S1-BR、QFR20HC600TD4S1-BF电流传感器对标替代莱姆LEM电流传感器HAH1DR系列型号，pin to pin国产替代如下具体HAH1DR系列型号：

HAH1DR200-S，HAH1DR300-S，HAH1DR400-S，HAH1DR400-S/SP1，HAH1DR500-S，HAH1DR600-S，HAH1DR700-S，HAH1DR800-S，HAH1DR900-S。